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ON Semiconductor annonce de nouvelles générations de MOSFET SUPERFET et de diodes SiC à PCIM Europe 2021

Nouveaux produits assurant des rendements supérieurs aux applications énergétiques.

ON Semiconductor annonce de nouvelles générations de MOSFET SUPERFET et de diodes SiC à PCIM Europe 2021

ON Semiconductor (Nasdaq :ON), à l’origine de nombreuses innovations en matière d’efficacité énergétique, va présenter de nouveaux MOSFET à superjonction (SJ) et de nouvelles Diodes SiC dans le cadre de sa participation à l’événement en ligne PCIM Europe, qui se tiendra du 3 au 7 mai 2021 cette année.

Le rendement et la fiabilité sont de plus en plus importantes dans les applications énergétiques, notamment pour permettre aux fabricants de respecter des normes internationales plus strictes. Les MOSFET à superjonction SUPERFET® III FAST SJ 650 V offrent des performances de commutation supérieures à celles des autres MOSFET à superjonction du marché, avec un rendement plus élevé et une fiabilité système supérieure. Ces fonctionnalités sont très demandées sur certains marchés à croissance rapide, comme la 5G, les stations de recharge pour véhicules électriques (VE), les télécoms et le secteur des serveurs.

ON Semiconductor présentera également des diodes SiC 1 200 V nouvelle génération qualifiées AECQ101 pour l’automobile et pour les applications industrielles, idéales pour les stations de charge de VE et les onduleurs photovoltaïques, les alimentations UPS, les chargeurs de VE embarqués (OBC), et les convertisseurs DC-DC de VE. Les diodes SiC offrent des avantages significatifs par rapport aux solutions silicium, notamment une plus grande fiabilité, des EMI plus faibles et des exigences de refroidissement inférieures. Ces nouvelles diodes marquent un progrès par rapport aux diodes SiC de première génération, grâce à une taille de puce plus petite et à une capacitance plus faible. Les NVDSH20120C, NDSH20120C, NVDSH50120Cet NDSH50120C offrent une chute de tension directe plus faible et un courant nominal 4 fois plus élevé, avec un taux de variation (di/dt) plus élevé de 3 500 A/µs. La taille inférieure de la puce permet aussi d'obtenir une résistance thermique inférieure de 20% en boîtier F2.

ON Semiconductor fera également des interventions à PCIM Europe le 4 mai, dans le cadre de plusieurs sessions. Au cours de la session consacrée aux Modules de puissance intelligents (IPM), Commande de mouvement et variateurs, Bumseung Jin, Ingénieur de la division IPM, présentera un article écrit en collaboration avec d'autres ingénieurs d'ON Semiconductor, intitulé : « Troisième génération de modules de puissance intelligents 650 V pour l’automobile, destinés aux applications de moteur auxiliaire » Guillem Gargallo animera un webinaire en direct sur les « Solutions de recharge externe de véhicules électriques » et Andrea Colognese participera à la conférence PCIM sur la « Troisième génération de modules de puissance intelligents 650 V pour l’automobile, destinés aux applications de moteur auxiliaire ». 

www.onsemi.com

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