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STMicroelectronics et le CEA développent la technologie « GaN-sur silicium » pour des applications de conversion de puissance

Cette coopération vise à développer et industrialiser des architectures de diodes et transistors de puissance avancées en nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si). La technologie de fabrication développée dans le cadre du programme de l’institut de recherche technologique IRT Nanoelec sera transférée de la ligne R&D 200 mm du CEA vers une ligne pilote de fabrication 200 mm exploitée par ST et qui sera opérationnelle d’ici à 2020.

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